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碳化硅(SiC)MOSFET

 


 

      Littelfus碳化硅(SiC)MOSFET LSIC1MO120E0120和LSIC1MO120E0160具有超低导通电阻(RDS(ON)),分别仅为120毫欧姆和160毫欧姆。

 

        这些碳化硅MOSFET可在各种电力转换系统中用作电源半导体开关,其在阻断电压、特征导通电阻和结电容方面的性能显著优于其他硅MOSFET。其还兼具高工作电压和超高切换速度,这是具有类似额定电流和封装的硅IGBT等传统功率晶体管方案所无法企及的。


        这些新型碳化硅MOSFET的典型应用包括:电动汽车、工业机械、可再生能源(如太阳能逆变器)、医疗设备、开关式电源、不间断电源(UPS)、电机驱动器、高压DC/DC转换器、感应加热。

 

 


 

 

新型1200V碳化硅MOSFET具有以下关键优势:


· 从系统层面减少的无源滤波器组件数量有助于提高功率密度,为高频高效应用打造优化设计;

· 极低的栅极电荷和输出电容结合超低导通电阻可最大限度地减少功率耗散,提高效率并降低所需冷却技术的规模和复杂性。

 

       Littelfus碳化硅(SiC)MOSFET LSIC1MO120E0120 1200 V额定电压为1200 V,额定电阻为120 mOhm,采用TO-247-3L封装。

 

功能与特色


· 专为高频、高效应用优化

· 极低栅极电荷和输出电容

· 低栅极电阻,适用于高频开关

· 在各种温度条件下保持常闭状态                            

· 超低导通电阻


                         

 

 

目标应用


· 太阳能逆变器

· 开关模式电源设备

· UPS

· 电机驱动器

· 高压直流/直流转换器

· 感应加热等