CoolMOS™ CE  适合消费类和照明应用的高性价比SJ器件  

 


 

CoolMOS™ CE是英飞凌市场领先的高压功率MOSFET的技术平台,根据超结原理(SJ)设计,旨在满足消费者的需求。随着产品系列的扩大,英飞凌现在提供面向移动设备和电动工具、LCD、LED电视以及LED照明应用的低功率充电器的500 V、600 V、650 V和800 V设备。

 

此新系列的CoolMOS™经过成本优化,既严格要求CoolMOS™具有业经证明的质量和可靠性,同时兼具有吸引力的价格,也能满足消费类市场的典型需求。


CoolMOS™ CE适合硬开关和软开关应用而且作为现代SJ功率器件,具有低导通损耗和开关损耗的特点,可提高效率,并最终降低功耗。CoolMOS™ CE易于使用的特点可以让客户缩短设计周期,在急剧变化的市场上保持竞争力。


 

CoolMOS™ CE主要性能优势

 


 

   ●   热行为

        -- 开放式外壳时的器件温度≤ 90°C

        -- 封闭式外壳时的温度≤ 50°C/70°C

   ●   便于满足EN55022B标准EMI要求

   ●   易于使用,设计快速

   ●   RDS(on)典型值到最大值之间的小幅变化导致的导通损耗很低 

   ●  优化的输出电容(Eoss),低开关损耗 

   ●  优化的EMI,可平衡开关速度和EMI特性

   ●  集成的Rg,良好的可控性 

 

应用领域

 


 

   ● 低功率充电器

   ●  适配器

   ●  台式电脑电源

   ●  LCD TV

   ●  LED翻新灯

     LED驱动器

 

关键型号:


针对LLC和(QR)反激拓扑结构中中等功率和低功率应用(≥15W) 500V CoolMOS™ CE


RDS(on)
TO-220 FullPAK
TO-252 DPAK
TO-220
TO-247 IPAK
3000mΩ

IPD50R3K0CE
  IPU50R3K0CE
2000mΩ

IPD50R2K0CE
  IPU50R2K0CE
1400mΩ    IPD50R1K4CE
  IPU50R1K4CE
950mΩ IPA50R950CE IPD50R950CE     IPU50R950CE
800mΩ IPA50R800CE IPD50R800CE      
600mΩ IPA50R650CE IPD50R650CE      
500mΩ IPA50R500CE IPD50R500CE      
380mΩ IPA50R380CE IPD50R380CE      
280mΩ IPA50R280CE IPD50R280CE IPP50R280CE IPW50R280CE  
190mΩ IPA50R190CE IPP50R190CE IPW50R190CE  

 

针对LLC和(QR)反激拓扑结构中中等功率和低功率应用(≥15W)  800V CoolMOS™ CE


RDS(on)
TO-220 FullPAK
TO-252 DPAK
TO-251 IPAK
2800mΩ

IPD80R2K8CE
IPU80R2K8CE
1400mΩ
IPA80R1K4CE
IPD80R1K4CE
IPU80R1K4CE
1000mΩ IPA80R1K0CE 
IPD80R1K0CE
IPU80R1K0CE
650mΩ IPA80R650CE

 
460mΩ IPA80R460CE 

 
310mΩ IPA80R310CE

 


针对低功率充电器和反激应用(≤45W)  600V CoolMOS™ CE


RDS(on)
TO-220 FullPAK
TO-252 DPAK
TO-251 IPAK
2100mΩ

IPD60R2K1CE
IPU60R2K1CE
1500mΩ

IPD60R1K5CE
IPU60R1K5CE
1000mΩ   IPD60R1K0CE IPU60R1K0CE
800mΩ IPA60R800CE  IPD60R800CE  
650mΩ IPA60R650CE  IPD60R650CE  
460mΩ IPA60R460CE  IPD60R460CE  
400mΩ IPA60R400CE  IPD60R400CE   

 

针对低功率充电器和反激应用(≤45W)  650V CoolMOS™ CE


RDS(on)
TO-220 FullPAK
TO-252 DPAK
TO-251 IPAK SL
1500mΩ


IPS65R1K5CE
1000mΩ


IPS65R1K0CE
650mΩ  IPA65R650CE IPD65R650CE